Eristettyjen porttien bipolaaritransistorin käyttövinkkejä

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) on jännite{0}}ohjattu kytkinlaite, jota käytetään laajalti keski- ja suuritehoisissa-elektroniikkajärjestelmissä. Siinä yhdistyvät MOSFETien korkean tuloimpedanssin ja yksinkertaisen taajuusmuuttajan edut BJT:iden alhaiseen johtavuusjännitehäviöön ja korkeaan virran{3}}kantokykyyn.

 

Peruskäyttöpisteet
Ajojännitevaatimukset
IGBT:t ovat jännite{0}}ohjattuja laitteita. Jännite +12V - +18V (tyypillinen arvo) tulee asettaa portin ja lähettimen väliin sen käynnistämiseksi; 0V tai negatiivinen jännite (kuten -5V - -15V) voidaan kytkeä -sammutukseen parantaakseen häiriöntorjuntakykyä ja nopeuttaakseen sammutusta.

 

Portin käyttöjännite ei saa ylittää ±20 V, muuten hiven oksidikerros voi vaurioitua.

 

Virran ja jännitteen nimellisarvon valinta
IGBT:t voivat käsitellä useiden satojen ampeerien virtoja (esimerkiksi yli 500 A) ja useiden tuhansien volttien jännitteitä. Valittaessa on jätettävä 20% ~ 30% marginaali ylijännitteen tai ylivirtavaurioiden välttämiseksi.